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詹琰 , 夏冠群 , 赵福川 , 李传海 , 朱朝嵩
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.014
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.
关键词: 砷化镓 , MESFET , 旁栅效应 , 旁栅阈值电压
