董琰峰
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周石山
,
杨修春
功能材料
以V2P5为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备出V2O5粉体,在H2气氛下热处理得到了VO2(B)粉体,再在Ar气氛下热处理VO2(B)粉体,制备出了VO2(M)粉体.采用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(IR)、差热分析(DTA)等方法对样品进行了成分和结构分析,结果表明,当热处理温度为500℃、H2浓度50%时,得到VO2(B)粉体;然后,在Ar气氛下分别经过550、600、650、700℃处理1h后,VO2由B型向M型转变,700℃处理成功制备出了VO2(M)粉体.
关键词:
无机溶胶-凝胶法
,
V2O5
,
VO2(B)
,
VO2(M)
,
晶型转变
徐时清
,
赵康
,
谷臣清
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.03.003
采用 V2O5 粉末为原料,应用无机溶胶-凝胶法制备 VO2 纳米粉末,通过对制备过程及相关产物的 DSC,TGA,XRD 和 TEM 的测试分析,揭示出本方法中 V2O5 向 VO2 的物相转变过程,发现 V2O5 凝胶粉末在真空条件下于 350 ℃开始分解,达 1100 ℃时还原成 VO2,其颗粒粒径介于 50~70 nm.
关键词:
VO2粉
,
纳米粉末
,
V2O5
,
无机溶胶-凝胶法
徐时清
,
赵康
,
马红萍
,
谷臣清
,
姜中宏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.011
本文采用V2O5粉和MoO3粉为原料,通过无机溶胶-凝胶法制备掺Mo6+的VO2薄膜.实验采用XRD和XPS等研究手段,对掺杂薄膜的物相组成、价态、相变温度、电阻突变量级和相变前后的光透过率进行了测试.结果发现:所制备的掺杂薄膜其主要成份是VO2,掺入的MoO3结构未发生改变,掺杂薄膜随MoO3含量的增加其相变温度明显下降,但其电阻突变量级和光透过率的突变量亦随之降低,其中,电阻突变量级的下降趋势更显著,不过只要MoO3掺杂量不高于5%时,掺杂薄膜的电阻突变仍可保持2个量级以上,而且红外光透过率的突变量仍保持较高.分析认为,薄膜中掺入的MoO3与VO2可以互溶,从而可作为施主组元降低VO2能带结构中的禁带宽度,改变其光电特性.
关键词:
VO2薄膜
,
掺杂
,
光电性能
,
无机溶胶-凝胶法
杨绍利
,
徐楚韶
,
陈厚生
,
廖代华
钢铁钒钛
doi:10.3969/j.issn.1004-7638.2002.01.004
以片状工业V2O5晶体为原料,采用无机溶胶-凝胶法成功地制取了V2O5溶胶和凝胶,测试了V2O5溶胶粘度的变化,并对V2O5凝胶和V2O5晶体进行了综合热分析.结果表明,制取V2O5溶胶-凝胶的适宜工艺参数为:熔化V2O5温度800~900度,保温时间5~10min;当溶胶浓度大于22g/L时,则溶胶可形成凝胶,此溶胶粘度随放置时间延长而增大,且浓度愈大粘度增大的幅度愈大;V2O5凝胶在加热过程中(500度以下)成分稳定,未出现相变.
关键词:
V2O5
,
无机溶胶-凝胶法
,
粘度
,
热分析