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陈敏 , 孙少锋 , 李景德
无机材料学报
从金属-半导体-绝缘体-金属（MSIM）层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因．对于这种结构，用时域介电谱方法能更可靠地分出MOS结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息．
关键词: 时域介电谱 , depletion layer , slica , silicon single crystal
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.03.015
从金属-半导体-绝缘体-金属(MSIM)层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因. 对于这种结构, 用时域介电谱方法能更可靠地分出MOS结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息.
关键词: 时域介电谱 , 耗尽层 , 二氧化硅 , 硅单晶
