隋贤栋
,
罗承萍
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2000.01.015
以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面.靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1μm的"亚晶铝带",其内有大量位错.SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(103)SiC//(111)Al,[110]SiC//[110]Al;(101)SiC//(111)Si;[110]SiC//[11]Si.
关键词:
SiCP/ZL109复合材料
,
SiC/Al界面
,
SiC/Si界面
,
晶体学位向关系
,
界面Si
,
亚晶铝带
陈蓓
,
丁培道
,
程川
,
周泽华
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2005.01.012
利用扫描和透射电子显微镜及X-rays衍射仪等,对ZrO2层状复合陶瓷的显微形貌特征、断裂相变量及晶体学位向关系进行了深入研究.研究结果表明,ZrO2层状陶瓷由于界面压应力的作用,抑制了烧结过程中晶粒的生长速度及冷却后四方相向单斜相的转变,提高了可相变四方相的含量,提高了断裂相变量,改善了材料的力学性能,但却没有改变四方相和单斜相之间的晶体学位向关系,在层状ZrO2陶瓷中,(100)m//(010)t的晶体学位向关系仍然存在.
关键词:
ZrO2层状复合陶瓷
,
界面压应力
,
显微形貌
,
相变
,
晶体学位向关系
罗承萍
,
隋贤栋
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
金属学报
采用ＴＥＭ研究了离心铸造和挤压铸造的ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料中ＳｉＣ／Ａｌ的晶体学位向关系. 对１２个ＳｉＣ／Ａｌ位向关系的测量结果表明, 虽然ＳｉＣ与Ａｌ之间的无固定的晶体学位向关系, 但出现了如下优先位向关系：（１１０３）ｓｉｃ〃（１１１）Ａ１, 「１１２０」ｓｉｃ〃「１１０」Ａｌ．（０００１）ｓｉｃ〃｛１１１｝Ａｌ不是优先出现的位向关系, 讨论了生成（或生不成）有关位向关系的原因.
关键词:
晶体学位向关系
,
null
,
null
