储耀卿
,
陈之战
,
李耀刚
,
钱永彪
人工晶体学报
采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷.初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条纹以及腐蚀坑等微缺陷的形成机理.结果表明:晶体内部的散射点来自于原料中杂质,条纹主要是由于晶体内应力引起,晶体内的气泡和黑点和晶体生长的温度密切相关,并就如何减少这些微缺陷进行了初步探讨.
关键词:
TeO2晶体
,
晶体缺陷
,
Bridgman法
,
晶体生长
,
形成机理
颜秀文
,
刘东明
,
胡刚
材料导报
在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种"纳米网状"的结构缺陷.利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究.结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧.初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因.
关键词:
晶体缺陷
,
离子注入
,
位错
,
透射电子显微镜
陈涛
,
巫翔
,
亓利剑
,
王河锦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.008
利用同步辐射X射线对人造金刚石晶体缺陷进行了形貌学研究,实验采用了透射(劳埃)形貌术和反射形貌术两种方法.所得的X射线透射劳埃图上大部分斑点分别分布在四条主晶带上,经分析发现,该金刚石晶体主要的晶体缺陷为位错,并推导出晶体内部存在Frank不全位错.该晶体的反射形貌像中位错呈网状分布,说明其表层缺陷多于内部缺陷.此外,由形貌像分析发现该人造金刚石晶体的晶体缺陷明显少于天然金刚石.
关键词:
人造金刚石
,
晶体缺陷
,
位错
,
同步辐射
,
形貌像
陈亮
,
宋武林
,
肖承京
材料导报
在综述国内外关于纳米铝粉额外储能的观点和研究方法的基础上,探讨了影响纳米铝粉额外储能的2个主要因素,即晶体缺陷及制备方法,剖析了产生额外储能的原因,最后提出了纳米铝粉额外储能研究需解决的几个问题及未来的研究方向.
关键词:
纳米材料
,
铝粉
,
额外储能
,
晶体缺陷
,
推进剂
朱胜军
,
王圣来
,
丁建旭
,
刘光霞
,
刘文洁
,
刘琳
,
顾庆天
,
许心光
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.015
在掺杂不同浓度的六偏磷酸盐溶液中，利用“点籽晶”快速生长法生长了 KDP 晶体，生长速度约20 mm/d.研究了六偏磷酸盐对快速生长的 KDP 晶体的生长及光学性能的影响，并与传统慢速生长的晶体进行了对比.实验表明，溶液中掺杂少量六偏磷酸盐就会显著降低生长溶液的稳定性，抑制晶体的生长，生长的晶体容易出现包藏、添晶、粉碎性裂纹等缺陷；生长的晶体光学质量也明显下降，例如晶体内部的光散射加重，激光损伤阈值降低；相比传统生长法生长的晶体，同等浓度的六偏磷酸盐对“点籽晶”快速生长法生长的晶体影响更为严重.结合 KDP 的晶体结构和六偏磷酸盐的分子特点，对其影响机理进行了讨论.
关键词:
KDP晶体
,
六偏磷酸盐
,
快速生长
,
晶体缺陷
,
光学性能
陈红兵
,
沈琦
,
方奇术
,
肖华平
,
王苏静
,
梁哲
,
蒋成勇
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象.
关键词:
钨酸镉
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
晶体缺陷
贺永宁
,
朱长纯
,
侯洵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.002
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战.
关键词:
ZnO
,
宽带隙半导体
,
晶体缺陷
,
电子输运
,
p型掺杂
李春
,
曾繁明
,
林海
,
郑东阳
,
杨晓东
,
刘贺
,
王丹
,
崔亚军
,
郑卫新
人工晶体学报
采用提拉法生长Nd∶ YAP和Tm∶ YAP晶体,利用吸收和荧光光谱表征样品.结果表明:经真空退火,提高了晶体质量.Nd∶ YAP晶体在808 nm附近有较强的吸收,与商用激光二极管的发射波长匹配较好,获得了1064 nm荧光输出;Tm∶YAP晶体在790 nm附近有一定的吸收,在1.87 μm处的荧光峰对应于3F4→3H6能级之间的跃迁,有利于激光的高能量调Q输出.
关键词:
Nd∶YAP晶体
,
Tm∶YAP晶体
,
晶体缺陷
,
吸收光谱
,
荧光光谱
孙晓慧
,
许毅
,
杭寅
人工晶体学报
运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)分析了比较了水热法ZnO晶体+c及-c部分的杂质,用四探针法比较了两部分的电阻率.结果表明, 晶体+c部分杂质含量少于-c部分,且前者电阻率明显高于后者.比较了Xe灯激发下两部分的光学性质,用氧气和氢气分别对+c部分ZnO进行处理,并进一步用He-Cd激光器对晶体的光学性能进行了研究,分析表明ZnO晶体416 nm左右的蓝光发射来自导带到锌空位(VZn)浅受主能级的跃迁,490 nm的蓝绿光发射与锌填隙(Zni)有关,540 nm附近的黄绿光发射与氧填隙(Oi)形成的能级有关.
关键词:
ZnO
,
晶体缺陷
,
水热法
,
光致发光
