黄锐
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林璇英
,
余云鹏
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林揆训
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姚若河
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黄文勇
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魏俊红
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王照奎
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余楚迎
功能材料
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速...
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4
,
生长速率
,
晶化度
陈城钊
,
林璇英
,
林揆训
,
余云鹏
,
余楚迎
功能材料
利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加...
关键词:
多晶硅薄膜
,
氢等离子体加热
,
退火工艺
,
晶化度
黄锐
,
林璇英
,
余云鹏
,
林揆训
功能材料
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶...
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
SiCl4
,
生长速率
,
晶化度
