程绪信
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肖海霞
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赵肇雄
,
崔海宁
硅酸盐通报
为了适应市场对低压集成电路过流保护作用的PTC热敏陶瓷的低阻化要求,采用还原-再氧化的烧结工艺来制备多层片式PTC热敏陶瓷.本文主要研究了(Ba1.022-xSmx)TiO3基陶瓷在还原气氛中1200℃烧结30 min并在800℃再氧化热处理后其室温电阻率随施主掺杂浓度的变化关系,以及冷却速率对该样品PyTC效应的影响.从氧化物半导体理论出发,阐述了在还原再氧化过程中该陶瓷的缺陷模型和晶界特性,讨论了施主掺杂BaTiO3基PTC陶瓷缺陷行为与晶界势垒及其导电机理,解释了冷却速率和再氧化时间对样品的电性能以及PTC效应的影响.
关键词:
BaTiO3陶瓷
,
PTC效应
,
热敏陶瓷
,
晶界势垒
,
缺陷
丁继军
,
马书懿
,
陈海霞
材料导报
从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息,其电阻对材料的温度非常敏感.实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器的铝基底上沉积SnO2薄膜,通过控制加热器上的电压来改变气敏材料的温度(温度变化范围为25～400℃),研究了温度对材料电阻的影响.通过分析电阻随温度的变化,基于晶界势垒控制模型得到了关于电阻随温度变化的新经验方程,并将此方程的计算结果与实验结果进行了比较.结果表明,此方程可很好地描述某些型号的传感器电阻对温度的依赖行为.
关键词:
气敏材料
,
电阻
,
温度
,
晶界势垒
罗建军
,
方湘怡
,
武明堂
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.016
研究了具有热分解氧化反应的CuO、MnO2等的一类氧化物对TiO2压敏电阻器性能的影响,采用C-V分析、I-V测量和介电测量等实验手段,分析了它们的作用机理. 结果发现,在晶界处发生的热分解氧化反应能增加界面态密度,提高晶界势垒高度,从而改善TiO2电容压敏电阻器的非线性性能.
关键词:
TiO2电容压敏电阻器
,
CuO
,
MnO2
,
晶界势垒
