杨萍
,
王宙
,
付传起
,
张庆乐
材料保护
在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多.采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8 μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10％.
关键词:
真空蒸镀法
,
多晶硅薄膜
,
组织
,
形貌
,
晶粒尺寸
,
基板距离
,
锗掺杂
,
晶化率
殷立涛
,
任凤章
,
赵冬梅
,
王姗姗
,
田保红
,
马战红
材料保护
无氰镀银是电镀银的发展方向,目前仍存在许多问题.采用硫代硫酸盐无氰镀银工艺,分别以AgNO3和AgBr为主盐进行镀银,研究了主盐含量、电流密度对镀层表观质量、沉积速率、显微硬度的影响,测量了镀层结合强度、晶粒尺寸,确定了2种体系制备镀层的最佳工艺.结果表明:AgNO3体系AgNO3最佳用量为40 g/L,最佳电流密度为0.25 A/dm2,制备的镀层光亮平整,晶粒尺寸为35 nm;AgBr体系AgBr最佳用量为30 g/L,最佳电流密度为0.20 A/dm2,制备的镀层光亮平整,晶粒尺寸为55 nm;与AgBr体系相比,AgNO3体系适宜电镀的电流密度范围较宽,制备的镀层显微硬度较大,晶粒尺寸小;2种体系制备的镀层均为纳米晶.
关键词:
无氰镀银
,
主盐
,
电流密度
,
结合强度
,
微观形貌
,
沉积速率
,
显微硬度
,
晶粒尺寸
宜楠
,
权振兴
,
赵鸿磊
,
武宇
材料开发与应用
金属钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能.采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上.靶材晶粒尺寸与织构取向影响溅射速率及溅射薄膜均匀性,要求钽靶材晶粒尺寸应小于100 μm,在靶材整个厚度范围内应主要是(111)型织构.同时,为了避免薄膜存在杂质颗粒,要求钽靶材纯度不小于99.99％.本文对钽靶材电子束熔炼、锻造、轧制、热处理等关键工艺进行了系统研究,找到了一种有别于常规钽靶材生产工艺的新方法,所生产产品化学纯度、晶粒尺寸、织构等性能优良,产品成品率高,适于批量化生产.
关键词:
钽
,
溅射靶材
,
晶粒尺寸
,
织构
,
电子束熔炼
,
锻造
,
轧制
,
热处理
张峰
,
吕学钧
,
马长松
,
陈晓
钢铁钒钛
结合工业化生产的中低牌号无取向硅钢,探讨了生产工艺及成分体系对含磷无取向硅钢磁性能的影响.结果表明,磷元素具有晶粒细化作用,能够抑制热轧组织再结晶,以及减少成品晶粒尺寸,因而会对磁性能产生显著影响.无铝钢中,随着磷含量增加,消除应力退火前、后,磁感变化不大,而铁损逐渐上升；含铝钢中,无论硅含量高低,随着磷含量增加,磁感均单调、快速递减,但随着硅含量升高,磷含量对铁损的影响程度逐渐变弱.采用中间退火处理后,少量的磷含量便能有效改善磁感,而对铁损影响不大.
关键词:
无取向硅钢
,
磁性能
,
生产工艺
,
成分体系
,
磷元素
,
显微组织
,
晶粒尺寸
