张立
功能材料
考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性.数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190 meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍.这一结果与最近GaN纳米线杂质态的实验测量相当符合.计算发现,采用双参数变分波函数描述准一维GaN纳米线体系各向异性是有必要的,尤其是当纳米线尺寸较小时.讨论了杂质的位置对结合能、杂质基态能量以及变分参数的影响,并对这些观察背后的深刻物理现象进行了分析.
关键词:
GaN纳米线
,
结合能
,
变分方法
,
杂质态
温淑敏
,
赵春旺
,
王细军
功能材料
对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-x N量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响.计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压力呈线性变化.由简化相干势近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中Al组分对杂质态结合能的影响.结果表明,在阱宽和压力固定时,当Al组分增加时杂质态结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著.Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大.
关键词:
GaN-AlxGa1-xN量子阱
,
杂质态
,
结合能
,
压力
,
应变
