郑冬梅
,
王宗篪
,
苏春燕
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016
在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量...
关键词:
光电子学
,
柱形量子点
,
内建电场
,
杂质
,
束缚能
尹新
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.02.018
在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响.计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值；外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对...
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
变分法
,
氢施主杂质
,
阶梯量子阱
孟婧
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.019
在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/AlxGa1-xN双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响.给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间...
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
中性施主
,
变分法
,
打靶法
,
对称双量子阱
