秦娟娟
,
董伟伟
,
周曙
,
游利兵
,
方晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.01.001
极紫外光刻是采用波长为13.5 nm的极紫外光作为光源,实现半导体集成电路工艺22 nm以及更窄线宽节点的主要候选光刻技术.性能优越稳定的多层膜技术是构建整个极紫外光刻系统的重要技术之一.从高反射率、波长匹配、控制面形以及稳定性和寿命方面总结了极紫外光刻系统中多层膜的性能要求和最新的研究进展,叙述了制备高性能多层膜的方法和沉积设备,讨论了多层膜制备技术存在的问题和发展的方向.
关键词:
激光技术
,
极紫外光刻
,
极紫外多层膜
,
沉积方法
