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柱形量子点中极化子的温度效应

姜福仕 , 展恩涛

低温物理学报

本文采用精确求解薛定谔方程和幺正变换方法,研究了柱形量子点中极化子的温度效应.结果表明:只有当温度较高时,温度对柱形量子点中极化子的基态能量才有较明显的影响,且基态能量随着温度的升高而增大;极化子的基态能量随电子-体纵光学(LO)声子耦合强度的增大而减小;且基态能量随着柱形量子点半径(柱高)的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.

关键词: 柱形量子点 , 极化子 , 基态 , 温度

内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

郑冬梅 , 王宗篪 , 苏春燕

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.

关键词: 光电子学 , 柱形量子点 , 内建电场 , 杂质 , 束缚能

纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁

郑冬梅 , 王宗篪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.001

在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子(A-,X)的发光波长.结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中A1含量.随着量子点高度、半径及垒中A1含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大.随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值;随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值;进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大.和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小.

关键词: 光电子学 , 柱形量子点 , 内建电场 , 离子受主束缚激子 , 发光波长

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