张亚军
,
王乐
,
祖帅
,
钟传杰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.005
通过分析以PMMA[poly( methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响.PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成.PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm.测量结果表明:(1)996K分子量PMMA薄膜的单位面积漏电流最小,仅有6.0×10-9/cm2.350K分子量的漏电流较大,为8.5×10 -9/cm2;(2)高电场下决定漏电流与场强关系的物理机制是肖特基发射,通过线性拟合计算出银电极与PMMA之间的势垒高度约为0.5eV;(3)分子量大的PMMA陷阱密度小.996K分子的最小,为4.7×1010/cm2.
关键词:
PMMA
,
绝缘膜
,
OTFTs
,
栅绝缘膜陷阱
,
C-V特性
袁剑峰
,
闫东航
,
许武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.003
研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性.结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系.还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大.认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
阈值电压漂移
,
栅绝缘膜陷阱
,
C-V特性
