高攀
,
张万荣
,
邱建军
,
杨经纬
,
金冬月
,
谢红云
,
张静
,
张正元
,
刘道广
,
王健安
,
徐学良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.017
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频...
关键词:
HBT
,
SiGe
,
横向尺寸
,
高频噪声
