李鸿渐
,
石瑛
,
赵世荣
,
何庆尧
,
蒋昌忠
功能材料
对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从101-Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1014cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律.在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω·cm2.探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制.
关键词:
p-GaN
,
欧姆接触
,
离子注入
,
退火
杨银堂
,
贾护军
,
李跃进
,
柴常春
,
王平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.007
采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.
关键词:
碳化硅
,
欧姆接触
,
离子注入
,
传输线法
刘文波
,
傅莉
,
李亚鹏
,
王晓珍
人工晶体学报
采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.
关键词:
Hg3In2Te6
,
欧姆接触
,
X射线光电子能谱
,
界面扩散
赵作明
,
江若琏
,
陈鹏
,
席冬娟
,
沈波
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032
研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性.
关键词:
Si基GaN
,
欧姆接触
,
Al
,
Ti/Al/Pt/Au
杨少鹏
,
高江旭
,
孙学峰
,
赵晓辉
,
傅广生
人工晶体学报
研究了聚乙烯吡络烷酮(PVP)作为阴极缓冲层对P3HT/PCBM基聚合物太阳能电池光电性能的影响.PVP分别溶于二甲基乙酰胺(DMAC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇乙醚、丙酮等不同溶剂中,研究了其旋涂过程及其对活性层薄膜的影响.结果表明:PVP作为P3HT∶ PCBM的阴极缓冲层,由于其产生的自集聚效应使活性层与阴极之间形成良好的欧姆接触,有利于电子的传输.当在活性层上面旋涂溶于N-甲基吡咯烷酮(NMP)的聚乙烯吡络烷酮(PVP)的溶液时,聚合物太阳能电池的开路电压Voc为0.57 V,短路电流为Jsc为10.9 mA/cm2,填充因子FF为62％,能量转换效率PCE为3.95％.与未加阴极缓冲层PVP的标准电池器件效率(2.62％)相比,效率提高了50％.
关键词:
聚乙烯吡络烷酮(PVP)
,
P3HT∶PCBM
,
欧姆接触
,
光电性能
李鸿渐
,
石瑛
,
蒋昌忠
功能材料
优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率.如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题.探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺、电极材料的选择和厚度、退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路.
关键词:
p-GaN
,
欧姆接触
,
表面处理
,
退火
,
电阻率
王泽温
,
介万奇
功能材料
分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小.
关键词:
Al/Hg1-xMnxTe
,
Au/Hg1-xMnxTe
,
欧姆接触
,
肖特基接触
阳岸恒
,
谢宏潮
,
贺晓燕
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.02.002
由于高纯金及金基蒸发材料具有良好的物理化学性能,广泛应用于金属-半导体系统,是半导体行业的重要基础材料.目前,金基蒸发材料用作工业化生产的主要有丝材、块状、棒状等产品,并大量用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件生产,具有良好的经济效益及社会效益.
关键词:
高纯金
,
金基蒸发材料
,
欧姆接触
,
金属-半导体
陈馨
,
董伟霞
,
罗婷
,
范薇
,
胡超
人工晶体学报
采用红外快速烧结炉制备了不同成分组成玻璃的多晶硅太阳电池,利用X射线扫描仪和扫描电子显微镜对电极的相结构及微观形貌进行了分析,采用NETZSCH STA 449C电流补偿型差示扫描仪测试玻璃粉的玻璃化转变温度,研究了不同成分组成的玻璃化转变温度对太阳电池Ag/Si接触界面之间微观结构和电学性能的影响.结果表明:玻璃化转变温度为346℃时,烧结的银电极致密度最高,Ag/Si之间的欧姆接触最紧密,重结晶在发射极上的银颗粒尺寸最大且数量最多,获得的光电转换效率达到了17.25％.因此,具有适当玻璃化转变温度的玻璃对太阳电池减反射层与硅发射极有着较好的润湿性,并对太阳电池的电学性能起着重要的影响.
关键词:
玻璃化转变温度
,
润湿行为
,
微观结构
,
欧姆接触
,
电学性能
