童芬
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郭小军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0393
图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像.首先为了比较正性液晶与负性液晶,测量了离子密度及电压保持率(VHR),其次为了比较两种配向材料(PI)与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合,量测了样品的直流残留(RDC)电压和Vcom电压随时间的变化.从量测结果可知,紫外(UV)光照前负性液晶离子密度是正性液晶的39倍,经过紫外光照,后负性液晶的离子密度为560 Pc/cm,且其紫外光照后电压保持率变化量为2．7％；使用负性液晶搭配 PI1的样品 A-1的直流残留电压和Vcom (等效为交流驱动电压的中心值)随时间变化量都是最大的,分别为0．5 V和250 mV,负性液晶搭配PI2材料的面板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于0．2 V,其Vcom随时间变化量均在50 mV以内.负性液晶材料的离子浓度含量高,且其稳定性比正性液晶材料差,负性液晶材料比正性液晶材料更容易发生残像；对于使用负性液晶材料,边缘场驱动模式的面板,搭配 PI2配向膜材料能够保持低的直流残留电压及低的Vcom电压变化量,从而对改善残像现象有帮助.
关键词:
边缘场切换广视角技术
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负性液晶
,
残像
,
配向膜
王菲菲
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邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163108.0760
为满足液晶面板尤其是大尺寸产品对高透过率不断提升的需求，进行负型液晶在 ADS 广视角技术中的研究。首先，介绍 ADS 技术的发展进程及主要特点，然后模拟分析负型液晶参数变化对 ADS 显示特性的影响，最后，利用 mini cell 对负型液晶和 PI 材料的进行实验室评价。液晶参数中：Δn 影响透过率，|Δε|和 K 值影响响应时间和工作电压，γ1影响响应时间。负型液晶透过率比正型液晶提升约8％，但响应时间增加约50％，负型液晶与 PI 的匹配性及残像差于正型液晶，与 PI 材料的搭配对残像有显著影响。调整负型液晶参数可优化产品性能。负型液晶可大幅提高产品的透过率，但需要加快响应时间和提升残像水平。响应速度的提高除了需要降低液晶的黏度，还需在电极结构优化方面做更多努力，而残像水平的提升，除提高负型液晶材料本身的稳定性外，与其搭配的取向材料的研发也十分重要。
关键词:
广视角技术
,
高级超维场转换技术
,
负型液晶
,
残像
韦海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0207
针对等离子体显示器维持期气体放电过程引起的PDP残像,研究了持续气体放电过程对残像可恢复性的影响以及相同放电条件下显示单元三基色亮度变化情况,分析了气体放电过程与PDP残像形成之间的关系,提出了通过调整PDP显示过程中工作气体的放电强度,补偿气体放电过程引起亮度差异的方法来减轻显示残像,改善残像对显示画质影响的方法.实验结果表明,该方法能够减少残像产生后的恢复时间,改善显示残像,提高显示图像画质.
关键词:
等离子显示器
,
运动检测
,
残像
