牛田瑛
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李英霞
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李建伟
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陈标华
催化学报
以廉价的四乙基溴化铵为模板剂,采用原料直接混合气相传输法合成β沸石.利用X射线衍射、红外光谱和扫描电镜等手段对产物进行了表征,考察了合成条件对β沸石晶化的影响.结果表明,在硅铝比为15～200,钠硅比为0.35～0.55,模硅比大于0.12时都可以得到结晶度良好的β沸石.该方法合成β沸石需要较高的碱硅比,投料硅铝比范围宽,晶体生长速度快,423 K时10 h生长期已基本结束.过高的晶化温度和过长的晶化时间均易导致杂品生成.合成的β沸石形貌随晶化时间变化,由晶化初期的椭球形转变为晶化结束时的不规则多面体.
关键词:
β沸石
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四乙基溴化铵
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气相传输法
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合成相区
,
模板剂
王马华
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朱光平
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付丽辉
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居勇峰
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张杰
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季仁东
人工晶体学报
为提高气相传输法制备微纳结构样品形貌的可控性,进行了生长温度调控下氧化锌晶体生长机制及其变化的实验研究.实验中的样品制备,以高纯度锌粉末为原料,在无模板、无催化条件下,通过加热蒸发-氧化冷却-生长晶体过程实现.其中,蒸发温度固定于750℃,反应区气体氛围保持稳定,生长区温度在450～ 600℃变化,制备出不同生长温度下样品.对所制备出诸样品,应用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪和透射电子显微镜等方法,进行形貌与结构表征.基于表征结果,观察、分析、研究生长温度变化的影响,结合理论分析,得出了生长温度通过对生长过程中锌蒸汽过饱和度的影响,决定着不同生长机制,从而有着不同的形貌结构的样品.
关键词:
氧化锌
,
气相传输法
,
生长机制
,
过饱和度
李小帅
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王增梅
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朱鸣芳
,
王善朋
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陶绪堂
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陆骏
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陈兴涛
,
徐佳乐
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140087
低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景.本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带.通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征.测试结果表明:气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15～180 μm; Bi2Se3纳米带长度达860 μm,宽度约5μm.根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制:在较高温度下沿＜001＞和＜1010＞方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿＜1120＞方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带.这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用.
关键词:
气相传输法
,
Bi2Se3纳米片
,
Bi2Se3纳米带
