叶林森
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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任锐
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王瑞林
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钟雨航
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温才
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李佳伟
功能材料
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.
关键词:
硒化镉
,
晶体生长
,
气相垂直提拉
,
电阻率
,
红外表征
