杨慧光
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朱世富
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赵北君
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赵欣
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何知宇
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陈宝军
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孙永强
人工晶体学报
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键.因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料.对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P、Ge、Zn单质为原料,采用两温区气相输运和机械振荡合成出了ZnGeP2多晶材料.合成出的多晶材料经比重测试和X射线粉末衍射测试证明与标准值一致.采用改进的布里奇曼法生长出外观完整、无裂纹的φ15 mm × 25 mm单晶体,在2.5～10 μm范围内红外透过率达50%以上.
关键词:
三元化合物
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磷锗锌
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多晶合成
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气相输运
,
机械振荡
吴海信
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王振友
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倪友保
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耿磊
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毛明生
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黄飞
人工晶体学报
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.
关键词:
AgGaGeS4
,
多晶合成
,
二温区
,
气相输运
徐朝鹏
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张磊
,
王倩
,
纪亮亮
,
李亚可
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150121
采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的InI多晶进行提纯,探索高纯、单相InI多晶的制备工艺。通过 X 射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜以及电感耦合等离子体原子发射光谱仪对水平区熔提纯前后的 InI 多晶的晶格结构、形貌组分以及杂质浓度进行了表征。结果表明,经过水平区熔提纯后的InI多晶晶格结构完整,质量较高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,与理论值十分接近； In、I化学配比得到了有效调节,其化学配比接近理论化学配比1：1；中间产物含量及杂质浓度显著降低。以提纯后InI多晶为原料,用提拉法生长出的InI单晶电阻率达到1010?·cm。
关键词:
碘化铟
,
多晶合成
,
气相输运
,
区域熔融
,
提纯
韦志仁
,
李振军
,
高平
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尹利君
,
黄存新
,
张利明
,
姚金宝
人工晶体学报
本文采用化学气相输运法在常压开放系统中以(0001)蓝宝石为基片制备出定向生长的ZnO晶体.以ZnO粉体为原料,NH4Cl为输运气体,O2和H2O为反应气体,加入适量的HCl作刻蚀性气体,通过调节NH4Cl输运量,获得两种不同生长方向的ZnO晶体,分别为(1010)方向和(0002)方向.(0002)方向上生长的晶体呈现六角片状,a、b轴生长速度明显高于c轴方向,晶体在基片上呈外延生长,大面积显露c面,且和蓝宝石c面平行.文中对O2、H2O、NH4Cl、HCl在晶体的生长中的作用和生长机制进行了讨论.
关键词:
ZnO晶体
,
气相输运
,
制备
