程珊华
,
宁兆元
,
李戈扬
,
叶超
,
杜伟
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.002
在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了 CHF3、 C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联.结果表明,提高微波功率会增加 CHx、 CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加 CHF3的进气量则会加大 F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度.
关键词:
电子回旋共振等离子体
,
氟化非晶碳薄膜
,
四极质谱
,
发射光谱
闫继红
,
宁兆元
材料导报
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素.用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题.着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展.
关键词:
低介电常数材料
,
氟化非晶碳薄膜
,
微电子器件
,
电阻
,
电容
杜伟
,
程珊华
,
宁兆元
,
叶超
,
辛煜
,
黄松
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.003
使用光强标定的发射光谱( AOES)测量了 CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振( ECR) 放电等离子体中基团的分布状态.实验发现随着 CHF3流量的增加 ,成膜基团 CF、 CF2、 CH等的相 对密度增大 ,而刻蚀基团 F的密度也会增加 ,从而使得 a-C:F薄膜的沉积速率降低.同时红外 吸收谱 (IR)分析表明 ,在高 CHF3流量下沉积的 a-C:F薄膜中含有更高的 C-F键成分.可见 在 a-C:F薄膜的制备中 CHF3/(CHF3+ C6H6)流量比是重要的控制参量.
关键词:
电子回旋共振放电等离子体
,
化学气相沉积
,
氟化非晶碳薄膜
,
发射光谱
刘雄飞
,
肖剑荣
,
李幼真
,
张云芳
材料导报
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料.介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响;研究了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与制备工艺参数的关联作了详细的论述;指出介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该膜实用化的主要原因.
关键词:
氟化非晶碳薄膜
,
介电常数
,
光学带隙
,
热稳定性
,
化学气相沉积
刘雄飞
,
高金定
,
肖剑荣
,
张云芳
,
周昕
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.04.012
以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品.用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧.FITR光谱分析表明:薄膜中主要含有CFx和C=C键,较低功率下沉积的薄膜中主要含有CF2和CF3,较高功率下沉积的薄膜中主要含CF和CF2.Raman光谱分析发现在较高沉积功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.
关键词:
射频功率
,
氟化非晶碳薄膜
,
微观性能
