廖乃镘
,
李伟
,
蒋亚东
,
匡跃军
,
李世彬
,
吴志明
材料导报
氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了先致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定性的方法.
关键词:
氢化非晶硅
,
稳定性
,
光致衰退效应
,
物理模型
,
稳定化处理
李瀛
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刘毅
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阴生毅
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胡跃辉
,
宋雪梅
,
邓金祥
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朱秀红
,
陈光华
功能材料
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
氢化非晶硅
,
MWECR
,
CVD
,
氢含量
周耐根
,
胡秋发
,
许文祥
,
吴小元
,
黄海宾
,
周浪
人工晶体学报
运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程.Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算.结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少.进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致.悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起.
关键词:
温度
,
结构
,
薄膜
,
氢化非晶硅
,
分子动力学
王青
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
朱秀红
,
荣延栋
,
周怀恩
,
陈光华
功能材料
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢含量
,
光敏性
,
光致衰退
周怀恩
,
陈光华
,
朱秀红
,
阴生毅
,
胡跃辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.019
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR＞2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD＞105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢稀释率
,
电子回旋共振化学气相沉积
,
光敏性
李瀛
,
陈光华
,
朱秀红
,
胡跃辉
,
宋雪梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.011
采用微波ECR CVD系统制备了a-Si:H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析.a-Si:H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性.通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3 nm/s.实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率.此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进.
关键词:
氢化非晶硅
,
微波ECR CVD
,
沉积速率
,
氢含量
黄金英
,
赵玉环
,
张志伟
,
荆海
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.008
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究.XRD测量结果表明非晶硅在500 ℃退火1 h后就已经全部晶化.金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大.非晶硅薄膜样品500 ℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3 μm,而且已经发生横向晶化.EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿.500 ℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜.
关键词:
氢化非晶硅
,
多晶硅
,
金属诱导晶化
,
金属诱导横向晶化
清水立生
,
严辉
功能材料
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来,特别是1975年氢化非晶Si的p型与n型掺杂控制的实现,非晶半导体作为一个重要的电子材料,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用.本文综述了至今为止非晶半导体重要的研究与应用进展,并探讨非晶半导体今后主要的发展趋势.
关键词:
硫系非晶半导体
,
氢化非晶硅
,
电子材料
