朱秀红
,
陈光华
,
郑茂盛
功能材料
采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积法（HWAMWECR-CVD）,通过改变衬底温度及氢稀释比制备了系列硅基薄膜,研究了衬底温度及氢稀释比对薄膜由非晶相转晶相相变及其光电性能的影响。研究结果表明,当采用低温制备硅基薄膜时,衬底温度和氢稀释比的提高都有利于非晶相向晶相的转变,但提高氢稀释比对相变的影响更为显著;晶化比越高并不代表薄膜光电性能越好,95%氢稀释比条件下制备的微晶硅薄膜具有优良的光电性能。
关键词:
硅基薄膜
,
衬底温度
,
氢稀释比
,
低温制备
,
相变
于威
,
卢海江
,
路万兵
,
孟令海
,
王新占
,
韩理
,
傅广生
功能材料
采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氮化纳米硅薄膜,利用Raman散射、x射线衍射、红外吸收等技术对不同氮稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究.结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,随着氮稀释比的增加,所沉积薄膜的晶化度及纳米晶硅的晶粒尺寸单调增加,纳米硅颗粒呈现在(110)方向的择优生长趋势.键合特性分析显示,随氢稀释比增加,薄膜中整体健合氮含量减小,而SiH2 健合比例呈现显著增加趋势,该结果反映了氮原子刻蚀和纳米硅界面面积比的同时增强.光学吸收谱分析表明,通过改变反应气体的氢稀释比,可实现从1.72^-1.84eV光学带隙可调的纳米硅薄膜制备.
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
电感耦合等离子体
,
晶态比
,
氢稀释比
鲁媛媛
,
李贺军
,
杨冠军
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140519
通过改变氢气对硅烷的稀释比 R, 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备出具有非晶/微晶相变过渡区的氢化硅薄膜, 并研究了所得硅膜在不同沉积阶段的微观结构和形貌、晶化效果和电学性能.研究结果表明,当 R=10 时, 样品呈典型的非晶特性; 随着氢稀释比的增大, 薄膜表现出两相结构, 且衬底表面处的非晶过渡层逐渐减薄, 也即非晶向微晶的转变提前.但XRD结果显示, 硅膜的晶化率和平均晶粒尺寸随着R的增加呈先增后减的趋势, 在R=28.6时达到最大值.另外, 暗电导率和载流子浓度表现出了与晶化率一样的变化趋势, 显示出硅膜的电学性能与微观结构的高度正相关性.
关键词:
氢稀释比
,
硅膜
,
两相结构
,
电学性能
刘石勇
,
曾湘波
,
彭文博
,
姚文杰
,
谢小兵
,
杨萍
,
王超
,
王占国
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.08.003
采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.
关键词:
纳米硅
,
氢稀释比
,
光学带隙
