张帆
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周明
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吴春霞
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张伟
,
陈谦
材料导报
利用化学气相沉积法(CVD)在镀有Au(10nm)膜的石英衬底上通过控制O2流量制备不同形貌的纳米结构ZnO,通过X射线衍射(XRD)和变温光致发光谱研究晶体缺陷对ZnO表面润湿性能的影响.结果表明,除表面粗糙度之外,高密度的缺陷对样品表面润湿性能也有很重要的影响,尤其是氧空位缺陷对吸收羟基有利,能够降低ZnO表面自由能,提高其疏水性能.
关键词:
氧化锌
,
氧分压
,
光致发光
,
润湿性
冯程程
,
周明
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吴春霞
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马伟伟
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李刚
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蔡兰
人工晶体学报
本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响.借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征.结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇.当 O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加.高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶.
关键词:
氧化锌
,
化学气相沉积法
,
氧分压
,
二次生长
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022
利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
,
氧分压
曹国栋
,
冷永祥
,
景凤娟
,
孙鸿
,
黄楠
功能材料
采用真空磁过滤电弧离子镀技术在单晶硅(100)和载玻片表面沉积Ti-O薄膜,研究了不同氧分压(0.08、0.13、0.2Pa)对薄膜结构及血液相容性的影响.研究结果表明,随着氧分压的提高,Ti-O薄膜相结构从三氧化二钛转变为金红石结构二氧化钛.扫描电子显微镜观察表明,所制备薄膜表面结构致密,与基体结合紧密.血小板粘附实验结果表明,0.13Pa下制备的薄膜血液相容性优异,优于临床应用的热解碳材料.
关键词:
Ti-O薄膜
,
氧分压
,
真空磁过滤电弧离子镀
,
血液相容性
朱凤
,
赵坤
,
赵夔
,
王莉芳
,
全胜文
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2002.03.006
报道了用反应溅射法制备TiO2膜的实验研究.详细研究了膜的沉积、膜结构及其光学性质,随溅射氧分压的变化.随氧分压由6×10-2 Pa增加到9×10-2 Pa时,晶体结构由金红石变到锐钛矿,氧分压超过9×10-2 Pa时趋向于无定形结构.与膜结构密切相关的折射率n随氧分压的增大由2.44变到1.96,禁带宽度Eg则由大变小,然后再增大的变化(3.41→3.26→3.42).
关键词:
反应溅射
,
TiO2薄膜
,
氧分压
,
折射率
,
禁带宽度
高昶
,
赵晓辉
,
夏钰东
,
张飞
,
陶伯万
低温物理学报
金属有机物沉积法(MOD)制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体是最具有商业前景的方法之一.本文使用环烷酸铜代替三氟乙酸铜,降低了前驱液中大约50%的氟含量.然后在带有缓冲层(Y2O3/YSZ/CeO2)的Ni-5at.%W基带上采用MOD法制备了YBCO薄膜并系统研究了高温热处理过程中气体流速和氧分压对YBCO薄膜的结构、表面形貌以及性能的影响.X射线衍射(XRD)分析表明在不同的气体流速下,薄膜均呈现明显的YBCO(001)取向.扫描电镜(SEM)分析显示气体流速较低时制备的薄膜表面较为平整,孔洞较少且无裂纹,而气体流速较高时制备的薄膜表面粗糙,孔洞较多.在不同的氧分压下,虽然所有薄膜均为纯c轴取向,但其面内外取向程度有所差异.最优工艺参数下制备的YBCO薄膜在77K、自场下的临界电流密度(Jc)和临界电流(Ic)分别为0.2MA/cm2和40A/cm-width.
关键词:
MOD
,
YBCO薄膜
,
气体流速
,
氧分压
尹洪基
,
徐延庆
,
吕世坪
,
王金相
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2010.04.003
以Cr2O3微粉为主要原料,TiO2微粉为烧结助剂,聚乙烯醇为结合剂,经制浆、喷雾造粒、机压和等静压二次成型后,分别在空气(氧分压为2.1×104Pa)、工业氮气(氧分压为1×103Pa)、纯氮气(氧分压为10 Pa)和高纯氮气(氧分压为0.1 Pa)中以及埋炭(氧分压为2.3×10-12Pa)条件下,于1 500℃保温3 h烧成制备了氧化铬试样,研究了烧成气氛的氧分压对氧化铬材料烧结的影响.结果表明:氧分压在0.1~2.1×104Pa之间,氧分压对添加有3%(w)烧结助剂TiO2的氧化铬材料烧结影响显著,随着氧分压的降低,试样的体积密度增加,显气孔率下降;但未添加烧结助剂TiO2时,即使在0.1 Pa这一较低氧分压下,氧化铬材料也未能实现致密化烧结;而在埋炭造成的极低氧分压下,无论是否添加烧结助剂TiO2,均能使氧化铬材料烧结致密.
关键词:
氧化铬材料
,
氧分压
,
氧化钛
,
烧结
王磊
,
杜军
,
毛昌辉
,
杨志民
,
熊玉华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.006
采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题.通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响.XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著.薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大.气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性.氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致.0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高达45.6%.另外,在0.2~0.5Pa氧分压下制备的薄膜对氢气具有较好的选择性.
关键词:
SnO2薄膜
,
氧分压
,
非化学计量比
,
反应磁控溅射
刘化然
,
盛英卓
,
宋宇
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杨伟峰
,
李金荣
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黄鹏
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冯博学
功能材料
采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜.研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响.研究结果显示,O2分压在1∶10时,可得到最快的沉积速率;低的氧分压沉积的薄膜表面比较疏松;随着氧含量的增加,方块电阻呈上升趋势,当氧分压达到一定值时,膜电阻又开始下降;随着氧分压的升高,颜色会逐渐加深,透射率降低.
关键词:
NiOx
,
射频溅射
,
电致变色
,
氧分压