高飞
,
李晖
,
徐永宽
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.035
以4H-SiC(0001)面为研究对象,采用原子力显微镜和 X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响.结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧化剂的浓度直接影响 SiC的氧化进程,增大氧化剂的浓度可以显著提高抛光去除速率,当氧化剂浓度为0．15 mol/L时,抛光去除速率可以达到约1200 nm/h,同时可以获得一个无划痕、超光滑、具有原子台阶构型的抛光表面,表面粗糙度值Ra 低至0．0853 nm.
关键词:
碳化硅
,
化学机械抛光
,
氧化剂浓度
,
原子台阶构型
