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n型掺杂半导体In/Nb-SrTiO3金属异质结变温J～V特性的研究

刘大猛 , 连贵君 , 熊光成

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.015

利用Nb替代Ti的导电Nb-SrTiO3(Nb-STO)衬底我们制备得到了Nb-STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线.氧化物半导体Nb-STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述的理想半导体/金属二极管有很多不同.利用对数据拟合的结果,我们讨论了与理想半导体模型的差别.在Nb-STO作为新的氧化物半导体材料被引入器件时,偏离理想的半导体模型应该是正常的.

关键词: 氧化物半导体/金属异质结 , Schottky势垒 , 耗尽层模型