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席俊杰 , 王利秋
材料热处理学报
研究了不同SiC体积分数(30%～50%)的SiC/MoSi2复合材料低温500℃的氧化性能.结果表明:SiC/MoSi2复合材料在低温(500℃)时具有优异的抗氧化性能,氧化500h没有发生氧化粉化现象.复合材料的氧化增重随SiC体积分数的增加而减少.复合材料表面的抗氧化保护层均匀致密,材料内部缺陷少,材料内部品界没有发生Mo与Si的氧化,材料的抗低温氧化性能得到显著提高.
关键词: SiC/MoSi2复合材料 , 低温氧化 , 氧化粉化
