闵靖
,
邹子英
,
李积和
,
周子美
,
陈青松
,
陈一
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.006
用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.
关键词:
机械损伤
,
软损伤
,
氧化诱生层错
,
S坑缺陷
,
外吸除
,
内吸除
储佳
,
杨德仁
,
阙端麟
材料导报
硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF的形成动力学、影响因素和检测方法.并指出:OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷.
关键词:
氧化诱生层错
,
直拉硅单晶
,
氧沉淀
