石刚
,
甄强
,
李榕
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陈瑞芳
,
严凯
,
功能材料
以分析纯ZrOCl2·8H2O、HfOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O为原料,采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-HfO2-Y2O3复合纳米粉体.借助XRD、TEM、BET等手段分析了制备工艺对粉体粒径和团聚状态的影响.研究表明,分散剂PEG的加入量及前驱体湿凝胶的处理方式对最终制备的ZrO2-HfO2-Y2O3复合粉体的晶粒度影响不大,但显著影响粉体的分散状态.分散剂加入量为1%(质量分数)并对湿凝胶共沸蒸馏处理条件下最终获得的粉体的分散性最好.前驱体沉淀经500℃焙烧1h后,生成了具有高氧离子电导率的立方晶型ZrO2基ZrO2-HfO2-Y2O3固溶体,粉体的平均粒径约为15nm.
关键词:
氧化锆
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氧化铪
,
纳米粉末
,
共沉淀法
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分散性
何刚
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方起
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张立德
功能材料
报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO2,氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控制的生长.高纯的N2退火导致了界面层的分解,引起Si-O键的振动峰位的轻微移动.
关键词:
等离子体氧化
,
氧化铪
,
高介电薄膜
,
制备
,
界面
邢玉梅
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陶凯
,
俞跃辉
,
郑志宏
,
杨文伟
,
宋朝瑞
,
沈达身
功能材料
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.
关键词:
SOI材料
,
氧化铪
,
薄膜
