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  • 论文(4)

无团聚ZrO2-HfO2-Y2O3复合纳米粉体的制备

石刚 , 甄强 , 李榕 , 陈瑞芳 , 严凯 ,

功能材料

以分析纯ZrOCl2·8H2O、HfOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O为原料,采用反向滴定共沉淀-共沸蒸馏法成功地制备出无团聚的ZrO2-HfO2-Y2O3复合纳米粉体.借助XRD、TEM、BET等手段分析了制备工艺对粉体粒径和团聚状态的影响.研究表明,分散剂PEG的加入量及前驱体湿凝胶的...

关键词: 氧化锆 , 氧化铪 , 纳米粉末 , 共沉淀法 , 分散性

紫外级氧化铪的生产工艺研究

张少辉 , 张碧田 , 何芬

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.03.025

紫外级氧化铪具有优异的光学性能和抗激光损伤性能,是制备高功率激光薄膜、高折射率紫外薄膜以及其他光学薄膜的重要材料.锆铪分离足制备紫外级氧化铪的关键.本实验研究了 N235-H2SO4萃取分离锆铪体系的影响因素,并得到用N235-H2SO4萃取分离体系制备低锆氧化铪的最佳工艺.经过4级萃取,制备出含锆...

关键词: 锆铪分离 , N235 , 萃取工艺 , 氧化铪

高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究

何刚 , 方起 , 张立德

功能材料

报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO2,氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控制的生长.高纯的N2退火导致了界面层的分解,引起Si-O键的振动峰位的轻微移动.

关键词: 等离子体氧化 , 氧化铪 , 高介电薄膜 , 制备 , 界面

在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

邢玉梅 , 陶凯 , 俞跃辉 , 郑志宏 , 杨文伟 , 宋朝瑞 , 沈达身

功能材料

用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪...

关键词: SOI材料 , 氧化铪 , 薄膜

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