禹争光
,
杨邦朝
功能材料
采用相同的工艺制备ZnO压敏电阻和未掺杂ZnO陶瓷片后,用扫描电镜(SEM)、电阻率计和X射线光电子能谱(XPS)对它们形貌、电阻率、界面化学计量比和电子状态进行了研究.实验发现:未掺杂ZnO晶粒粒径小于10μm且均匀性差;ZnO电阻率对烧结气氛敏感,其值在2.36～47.97Ω·cm之间,界面存在非化学计量氧锌比,O/Zn=1.29.掺杂后,ZnO压敏电阻界面价电子峰减小,证实压敏电阻陷阱态的存在,表明需用载流子陷阱态补充双肖特基势垒模型.
关键词:
氧化锌压敏电阻
,
纯氧化锌陶瓷
,
光电子能谱
,
非化学计量
,
陷阱态
林枞
,
徐政
,
彭虎
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.028
研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～1200 ℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kJ/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi2O3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
关键词:
微波烧结
,
氧化锌压敏电阻
,
致密化
,
晶粒生长动力学
