廖荣
,
张海燕
,
谢佳亮
,
杨铁铮
,
罗文中
,
胡伟
材料导报
用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60 nm之间；测得的ZnO薄膜厚度仅50 nm,符合缓冲层要求；薄膜在可见光区域透射率达90％以上；使用原子层沉积氧化锌薄膜作铜铟镓硒太阳能电池的缓冲层,TEM显示氧化锌层完好、致密地覆盖在CIGS层上,电池的光电转换效率较高,完全可以替代有毒的CdS作缓冲层.
关键词:
原子层沉积
,
氧化锌薄膜
,
铜铟镓硒太阳能电池
,
缓冲层
刘健敏
,
夏义本
,
王林军
,
阮建锋
,
苏青峰
,
蒋丽雯
,
史伟民
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.04.019
使用纳米金刚石粉研磨工艺预处理硅片衬底抛光面,在低气压成核的条件下,以丙酮和氢气为反应物,采用传统的热丝辅助化学气相沉积法,制备了自支撑金刚石膜;通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜的成核面,形成氧化锌/自支撑金刚石膜结构.通过光学显微镜、扫描电镜及原子力显微镜测试自支撑金刚石膜成核面的表面形貌.研究结果表明:成核期的低气压有助于提高成核密度,成核面表面粗糙度约为1.5 nm;拉曼光谱显示1334 cm-1附近尖锐的散射峰与金刚石SP3键相对应,成核面含有少量的石墨相,且受到压应力的作用;ZnO/自支撑金刚石膜结构的XRD谱显示,氧化锌薄膜有尖锐的(002)面衍射峰,是c轴择优取向生长的.
关键词:
自支撑金刚石膜
,
表面粗糙度
,
氧化锌薄膜
,
声表面波器件
朱仁江
,
孔春阳
,
秦国平
,
王楠
,
戴特力
,
方亮
材料导报
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.
关键词:
氧化锌薄膜
,
p型
,
离子注入
,
制备
步绍静
,
崔春翔
,
靳正国
,
刘晓新
稀有金属材料与工程
研究在Zn(NO3)2/NaOH和Zn(NO3)2/NH3H2O水溶液体系中ZnO薄膜的生长条件.通过X射线衍射仪和扫描电镜对薄膜进行了表征.两种碱性体系生长的薄膜是六方纤锌矿结构;晶体垂直于衬底沿(002)方向择优生长,随着生长溶液浓度的增大,薄膜柱晶的直径会逐渐增大.NaOH系统生长的ZnO薄膜厚度较薄,致密度较小,NH3H2O系统生长的薄膜中棒晶排列较为密集.对于NaOH生长系统,锌的浓度由于受到限制,导致生长的柱晶直径较小.氨水系统中由于[Zn(NH3)4]2+的缓冲作用,获得的ZnO晶粒直径可以在纳米到微米范围内变化.
关键词:
氧化锌薄膜
,
氢氧化钠
,
氨水
,
生长
张永强
,
鲍改玲
,
张建民
材料导报
以铜片为衬底,用硝酸锌水溶液为电解液,采用阴极恒电流还原制备氧化锌薄膜.通过改变电流密度、电解液浓度、温度、离子掺杂等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用X射线衍射、紫外-可见透射谱、热重-差热等技术对沉积物的结构、组成及光学性质进行了表征,结果表明,电沉积工艺条件显著影响薄膜材料的结构与组成.当电沉积产物中掺杂铜时,薄膜材料的光吸收边从375nm红移到458nm,带隙能从3.3eV降到2.7eV,拓宽了薄膜的吸光范围,这对ZnO薄膜在光学方面的应用具有重要意义.
关键词:
氧化锌薄膜
,
电沉积
,
掺杂
,
带隙能
汤亮
,
李俊红
,
郝震宏
,
乔东海
,
汪承灏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.016
采用直流磁控溅射的方法制备了ZnO压电薄膜,并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器.x射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.1624°,显示出较好的结晶质量;扫描电镜分析观察到ZnO垂直于基片表面的柱形晶粒结构和较平滑的薄膜表面.体声波器件的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性,说明ZnO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波,可应用于体声波器件和声表面波器件中.另外采用间接的方法得到ZnO压电薄膜在870MHz时的介电常数约为5.24,介电损耗因子为1.07,进一步减小介电损耗因子,可以提高器件的Q值.
关键词:
氧化锌薄膜
,
压电
,
磁控溅射
,
X射线衍射
,
体声波谐振器
张腾
,
钟志有
,
汪浩
人工晶体学报
以ZnO∶Ga2O3∶TiO2(97wt％∶1.5wt％∶1.5wt％)陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计测试表征,研究了溅射功率对TGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所有TGZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,溅射功率对薄膜性能具有明显的影响.当溅射功率为200 W时,TGZO薄膜的结晶质量最好、电阻率最低、平均可见光透射率最高,品质因数最大(1.22×10-2 Ω-1),其光电综合性能最佳.另外,通过光谱拟合方法研究了溅射功率对TGZO薄膜折射率和消光系数的影响,并利用Tauc关系式计算了样品的光学能隙.
关键词:
氧化锌薄膜
,
溅射功率
,
结晶质量
,
电阻率
,
透过率
陈祝
,
张树人
,
杜善义
,
杨成韬
,
孙明霞
,
郑泽渔
,
李波
,
董加和
功能材料
利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10～15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材.研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数).同时通过在不同温度烧结试验、不同成型压力试验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并通过所制备的ZnO-Li0.022陶瓷靶,采用RF射频磁控溅射技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向、均匀、致密的ZnO薄膜.
关键词:
陶瓷靶
,
氧化锌薄膜
,
射频磁控溅射
,
择优取向
