彭栋梁
,
王伟
,
王来森
,
陈远志
,
岳光辉
,
隅山兼治
,
日原岳彦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.013
采用等离子体增强射频磁控溅射沉积方法,在室温下制备了Fe-O合金薄膜.研究了氧的掺杂量和薄膜厚度对薄膜软磁和高频特性的影响.结果发现少量氧的掺杂不导致低饱和磁化强度铁氧化物的形成,但可使薄膜晶粒细化,矫顽力下降.在薄膜厚度低于150 nm且氧气与氩气相对流量比为2.4%的条件下,薄膜的实部磁导率高达1100且能够维持到1GHz.
关键词:
氧掺杂
,
厚度
,
软磁特性
,
高频特性
顾四朋
,
侯立松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.029
用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.
关键词:
Ge-Sb-Te相变薄膜
,
氧掺杂
,
XRD
,
DSC
,
结晶动力学
贾绍辉
,
张淮凌
,
孙徐兴
,
刘涌
,
韩高荣
材料科学与工程学报
低辐射玻璃要求具有低的辐射率和高的可见光透射比.目前较为常见的单银高透Low-E产品具有优良的采光和隔热性能,但是膜层机械性能普遍较差,对于玻璃深加工厂的加工设备要求高.通过对单银高透Low-E表面覆层Si3N4薄膜进行特定比例的掺氧处理,形成Si3NxOy层,改变了膜层表面的特性,增强了其加工的机械性和稳定性,显著提升了单银高透Low-E产品的可加工性.表层改性对于提升单银高透Low-E产品性能,推进其在节能建筑领域的广泛应用具有重要意义.
关键词:
Low-E
,
氮化硅
,
氧掺杂
