王书运
,
庄惠照
,
高海永
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.025
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.
关键词:
射频磁控溅射
,
GaN薄膜
,
ZnO缓冲层
,
氨化反应
刘举
,
敬春艳
,
王洋
,
滕鹏飞
,
徐嘉瞳
,
徐利锋
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2013.20574
以2-甲基-6-苯基-3-(2,4-二氯苯基)-5,7-二羟基吡唑并[1,5-a]嘧啶为原料,经三氯氧磷氯代得到2-甲基-6-苯基-3-(2,4-二氯苯基)-5,7-二氯吡唑并[1,5-a]嘧啶,氯代物再与胺类化合物经取代反应氨化得到12个未见文献报道的7-取代-3,6-二芳基取代吡唑并[1,5-a]嘧啶类衍生物.目标化合物结构经红外光谱、核磁共振氢谱、元素分析及单晶X射线衍射法表征.
关键词:
吡唑并[1,5-a]嘧啶
,
氯代反应
,
氨化反应
,
晶体结构
