李世涛
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乔学亮
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陈建国
中国有色金属学报
将In2O3和SnO2粉末按质量比1:1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜.实验结果表明:氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVIL有着重要的影响,其最佳值为0.2Pa.ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系. 提高基体温度ts可以改善薄膜的性能,在ts为200℃时,ITO薄膜的TVIL达到90%以上(含玻璃基体),方阻为13.1Ω/□. 根据薄膜生长的3个阶段理论,建立了薄膜厚度与电阻率的关系:在ITO薄膜生长过程中,依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理. 由实验结果求得了临界厚度dc约为48～54nm,AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
氩气压强
,
基体温度
,
导电机理
职利
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徐华蕊
,
周怀营
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.016
采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.
关键词:
直流磁控溅射
,
ITO薄膜
,
氩气压强
,
电导率
,
透过率
李姗
,
杨恢东
,
汪文明
,
雷飞
,
闵文骏
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.20.002
采用直流磁控溅射技术在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备ZnO∶Al透明导电薄膜,研究氢气压强对样品薄膜结构、形貌和光电性能的影响,并与玻璃衬底进行了对比.结果表明:所有制备的ZAO薄膜都是六方纤锌矿结构且具有高度的c轴择优取向;氩气压强对样品薄膜的性能有较大影响,具体表现在:随着压强的增大,晶粒尺寸先增大后减小,方块电阻值先减小后增大,最小值出现在压强为12 Pa,其值为12 Ω/sq,600～800nm薄膜的相对透射率为94％,高于玻璃衬底的相对透射率.
关键词:
氩气压强
,
柔性衬底
,
ZnO∶Al薄膜
,
直流磁控溅射
马仙梅
,
荆海
,
王永刚
,
王龙彦
,
王中健
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.013
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响.所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大.最小方块电阻可达17.6 Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10~(-4) Ω·cm.另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上.
关键词:
GZO
,
磁控溅射
,
氩气压强
