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反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究

徐文彬 , 王德苗

材料导报

在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采...

关键词: 氯氧化硅 , 氯氧比 , C-V特性 , 栅介质