徐文彬
,
王德苗
材料导报
在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN_2=1.0sccm,Qo_2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用.
关键词:
氯氧化硅
,
氯氧比
,
C-V特性
,
栅介质
