罗茜
,
成来飞
,
栾新刚
,
刘小冲
玻璃钢/复合材料
doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2010.02.005
采用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制备了CVD-SiC陶瓷基片并在1500℃空气中进行预氧化处理,对比研究了预氧化前后CVD-SiC分别在1100、1300和1500℃静态水氧耦合环境下的氧化行为.采用扫描电子显微镜和X-射线衍射分析不同叠加氧化温度条件下表面形貌和物相演变规律.结果表明,预氧化后氧化(叠加氧化)和预氧化前氧化(水氧氧化)具有相似的氧化机理,均呈现出典型的抛物线型模式,两者的活化能分别为116kJ/mol和98.9 kJ/mol.
关键词:
CVD-SiC
,
叠加氧化
,
水氧氧化
