杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
陶东平
,
杨宇
人工晶体学报
采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有...
关键词:
离子束溅射
,
Ge/Si多层膜
,
沉积温度
,
生长停顿
刘荣军
,
张长瑞
,
刘晓阳
,
周新贵
,
曹英斌
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.04.006
以CH3SiCl3-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVD SiC涂层的组织结构.结果表明,随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程, 1200～13...
关键词:
沉积温度
,
CVD
,
SiC
,
沉积速率
,
结构
籍小兵
,
周旗钢
,
刘斌
,
徐继平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.011
研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅...
关键词:
沉积温度
,
多晶硅
,
吸杂
,
晶粒
陈玲玲
,
程珊华
,
宁兆元
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.007
在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温...
关键词:
a-C:F
,
沉积温度
,
红外吸收谱
,
热稳定性
韩文
,
曹丽云
,
黄剑锋
,
王吉富
人工晶体学报
采用电沉积法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积温度对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响.结果表明:在U=3 V,pH=2.5,T=60 ℃,沉积时间为20 m...
关键词:
PbS薄膜
,
电沉积
,
沉积温度
,
光学性能
孙华军
,
侯立松
,
缪向水
,
吴谊群
稀有金属材料与工程
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge_2Sb_2Te_5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min).用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650 n...
关键词:
Ge_2Sb_2Te_5薄膜
,
沉积温度
,
结构
,
电/光性质
何子博
,
李贺军
,
史小红
,
付前刚
,
吴恒
材料导报
为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理.结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100～1250℃...
关键词:
低压化学气相沉积
,
SiC-MoSi2
,
双相陶瓷涂层
,
沉积温度
,
沉积机理
周学芹
,
史玉芬
,
李坤
,
刘小利
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.018
采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2％,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究.采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析.结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至90...
关键词:
MPCVD
,
金刚石膜
,
沉积温度
,
择优取向
