胡双丽
,
徐瑞东
,
郭忠诚
电镀与涂饰
通过Ni,W、P与CeO2、SiO2纳米颗粒的脉冲共沉积,在普通碳钢表面制备了Ni-W-P-CeO2-SiO2纳米复合镀层.在一定的脉冲频率和平均电流密度下,研究了正向脉冲占空比对纳米复合镀层的化学组成、沉积速率、显微硬度和显微组织的影响.结果表明:增大正向脉冲占空比时,纳米复合镀层的晶粒尺寸增大,沉积速率和显微硬度降低.当正向脉冲占空比控制在10%时,沉积速率最快(为48.6 μm/h),显微硬度最高(为696 HV).纳米复合镀层中的P含量随着正向脉冲占空比的增大而增加,但CeO2、SiO2纳米颗粒及W的含量不断降低,正向脉冲占空比对W的沉积量影响最明显.
关键词:
碳钢
,
镍-钨-磷合金
,
二氧化铈
,
二氧化硅
,
纳米复合镀层
,
脉冲电沉积
,
沉积速率
,
显微硬度
殷立涛
,
任凤章
,
赵冬梅
,
王姗姗
,
田保红
,
马战红
材料保护
无氰镀银是电镀银的发展方向,目前仍存在许多问题.采用硫代硫酸盐无氰镀银工艺,分别以AgNO3和AgBr为主盐进行镀银,研究了主盐含量、电流密度对镀层表观质量、沉积速率、显微硬度的影响,测量了镀层结合强度、晶粒尺寸,确定了2种体系制备镀层的最佳工艺.结果表明:AgNO3体系AgNO3最佳用量为40 g/L,最佳电流密度为0.25 A/dm2,制备的镀层光亮平整,晶粒尺寸为35 nm;AgBr体系AgBr最佳用量为30 g/L,最佳电流密度为0.20 A/dm2,制备的镀层光亮平整,晶粒尺寸为55 nm;与AgBr体系相比,AgNO3体系适宜电镀的电流密度范围较宽,制备的镀层显微硬度较大,晶粒尺寸小;2种体系制备的镀层均为纳米晶.
关键词:
无氰镀银
,
主盐
,
电流密度
,
结合强度
,
微观形貌
,
沉积速率
,
显微硬度
,
晶粒尺寸
姜伟
,
韩宇淳
电镀与涂饰
以黄铜为基材,研究了吡啶添加剂-氨盐体系的电镀钯工艺,分析了钯盐、氯化铵、吡啶添加剂质量浓度,温度及pH对镀液和镀层质量的影响.在Pd(NH3)2Cl220 g/L,NH4Cl 15 g/L,NH3·H2O 35 mL/L,吡啶添加剂25 g/L,pH 7~8,温度25~35℃和电流密度0.4~0.5 A/dm2的条件下,获得了厚度达35 μm的光亮钯镀层.该镀层与基体结合力良好,能满足光电经纬仪的工作要求.
关键词:
光电经纬仪
,
黄铜
,
镀钯
,
吡啶
,
氨盐
,
厚度
,
沉积速率
张立香
,
卢建树
材料保护
目前,有关镀液中F-对镁合金化学镀镍影响的研究还不系统.探讨了AZ91D镁合金化学镀镍液中NH4HF2浓度对化学镀镍初始沉积、镀液缓冲力和镀层的沉积速率、结合力、形貌、耐蚀性的影响.结果表明:F-对镀镍初始沉积有较大影响,若镀液中无NH4 HF2时,AZ91D镁合金化学镀镍将难以进行,如果先在含F-的镀液中施镀适当时间后,再放入无F-镀液中施镀,镀镍能顺利进行;随着镀液中NH4HF2浓度的增加,镀液的缓冲性能越来越好,镀层的结合力先增强后减弱,镀层沉积速率和腐蚀速率先减小后增大,镀层胞状物先变小后变大,镀层致密性先变好后变差;当镀液中加入20 g/L NH4 HF2时,镀层综合性能最好.
关键词:
化学镀镍
,
AZ91D镁合金
,
NH4HF2
,
结合力
,
沉积速率
,
缓冲性能
,
腐蚀速率
亢若谷
,
畅玢
,
曹梅
,
龙晋明
,
朱晓云
材料保护
多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道.使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层显微硬度、沉积速率及阴极电流效率的影响.结果表明:电流密度为0.4A/dm2,镀覆时间为10 min时镀金层外观质量最好,亚硫酸钾浓度为100g/L时镀金层的显微硬度、阴极电流效率和沉积速率达到最大值;镀金层的光亮度与电流密度和镀覆时间有很大关系;镀金层的热反射率比不锈钢基体的高,光亮镀层的热反射率比半光亮镀层的高;镀液中亚硫酸钾含量的变化使得镀金层的显微硬度和沉积速率发生了改变.
关键词:
亚硫酸盐镀金
,
亚硫酸钾配位剂
,
镀层光亮度
,
热反射率
,
显微硬度
,
电流效率
,
沉积速率
王勇
,
张远明
,
陈云飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.02.002
介绍了以次磷酸钠为还原剂、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理.探讨了镀液中铜盐含量、还原剂含量、pH及温度对沉积速率的影响.确定了化学镀铜最佳工艺条件:0.15 mol/L CuSO4 · 5H2O,0.03 mol/L NiSO4 · 6H2O ,0.75 mol/L NaH2PO2 · H2O ,0.08 mol/L Na3C6H5O7 · H2O,0.5 mol/L H3BO3 ,<0.2 mg/L硫脲,60~65 ℃,pH 12.0~12.5.采用扫描电镜及能谱仪分别对镀覆30 min及40 min制得的2种镀层表面形貌及成分进行了分析与比较.结果表明,镀覆30 min镀层组织较为致密,而镀覆40 min的镀层组织较粗糙;随镀覆时间的延长,镀层中铜含量明显提高.该镀层接触电阻基本能满足微制冷器的要求.
关键词:
半导体
,
N 型硅
,
化学镀铜
,
再活化剂
,
沉积速率
,
表面形貌
,
接触电阻
王绍华
,
王军丽
,
徐瑞东
,
章俞之
材料保护
通过Ni,W,P与CeO2,SiO2纳米颗粒的双脉冲电沉积,在普通碳钢表面制备了Ni-W-P/CeO2-SiO2纳米复合材料沉积层.在正、反向脉冲占空比(10%,30%)和正、反向脉冲平均电流密度(15.0,1.5 A/dm2)恒定下,研究了正、反向脉冲时间对纳米复合材料电沉积的影响.采用能谱、硬度测试和扫描电镜等方法,对纳米复合材料沉积层的化学组成、沉积速率、显微硬度和表面形貌进行了表征.结果表明:当正、反向脉冲时间分别控制在300 ms和40 ms时,Ni-W-P基质金属轮廓清晰,晶粒细小而均匀,CeO2和SiO2纳米颗粒在基质金属中均匀弥散分布;沉积层的化学组成(质量分数)为:70.89%Ni,9.89%W,8.59%P,7.35%CeO2,2.81%SiO2;沉积速率为45.1μm/h,显微硬度为706 HV.
关键词:
双脉冲
,
Ni-W-P/CeO2-SiO2
,
纳米复合材料
,
电沉积
,
脉冲时间
,
沉积速率
,
显微硬度
李维亚
,
俞丹
,
刘艳
,
王炜
电镀与涂饰
以硫脲为添加剂、硫酸铜为主盐、次磷酸钠为还原剂,在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基材表面进行化学镀铜.研究了添加不同质量浓度(0.10、0.25、0.50、0.75和1.00 mg/L)的硫脲对铜沉积速率、镀层导电性和结合力以及化学镀铜中氧化还原反应的影响,并通过扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射(XRD)等方法分别对镀层微观形貌、组成成分、晶体结构进行了表征.结果表明,硫脲的加入主要影响铜(111)晶面的生长,能有效提高镀层与基体之间的结合力,但对镀层成分无太大影响.随着硫脲加入量的增大,铜沉积速率和镀层导电性先减后增,而镀铜速率主要由阴极还原过程控制.适宜的硫脲添加量为0.50 ~ 0.75 mg/L,此时铜沉积速率相对较低,所得镀层晶粒尺寸较小,表面电阻为40 ~ 50 mΩ/cm2,镀层结合力1~2级.
关键词:
聚甲基丙烯酸甲酯
,
化学镀铜
,
硫脲
,
次磷酸钠
,
沉积速率
,
导电性
,
极化曲线
朱焱
,
孔小雁
,
黄锦涛
电镀与涂饰
采用正交试验考察了镀液中配位剂柠檬酸钠和乳酸钠含量及pH对Q235碳钢上中温化学镀层沉积速率的影响,研究了稳定剂苯并三氮唑、硫代硫酸钠及其复配对镀液稳定性和沉积速率的影响.得到较理想的工艺配方及操作条件为:NiS046H2O30 g/L,NaH2PO2·H2O 30 g/L,乳酸50 g/L,柠檬酸钠2 g/L,CH3COONa·OH20 1~3g/L,由硫代硫酸钠与苯并三氮唑按质量比1:1复配的稳定剂20 mg/L,缓冲剂氨水适量,温度70℃,pH =5,装载量1 dm2/L.在此条件下,镀层含磷8.2%,表面均匀、致密,为非晶态结构,孔隙率低,结合力强,耐蚀性好.
关键词:
碳钢
,
镍磷合金
,
中温化学镀
,
配位剂
,
稳定剂
,
正交试验
,
沉积速率