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闵靖 , 邹子英 , 李积和 , 陈青松 , 周子美 , 陈一
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.016
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.
关键词: 多晶硅吸杂 , 内吸杂 , 增强吸杂 , 氧沉淀 , 氧化层错 , 洁净层
