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氮化镓薄膜生长工艺研究的最新进展

赵谢群 , 张燕红 , 邱向东 , 孙晋伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.015

综述了高质量GaN薄膜材料生长工艺的最新进展,着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用.

关键词: GaN , 薄膜 , 外延生长 , 活化氮源

GaAs衬底上立方GaN的低温生长

顾彪 , 徐茵 , 秦福文 , 丛吉远 , 张砚臣 , 孙捷

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016

研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.

关键词: 立方GaN , 低温生长 , 活化氮源 , ECR-PAMOCVD

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