王中华
,
张绍安
,
胡义华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.016
采用传统的高温固相法成功合成了Sr3Ga2O5Cl2∶xSm3+系列橙红色荧光粉.用X射线衍射仪(XRD)测试了样品的晶体结构,样品的形貌和颗粒尺寸由扫描电子显微镜(SEM)表征,用荧光光谱仪测试了样品的光致发光光谱和衰减寿命.Sr3Ga2O5Cl2晶相为单斜结构,掺杂的Sm3+离子取代Sr2+的格位成为荧光粉的发光中心.样品的激发光谱由O2-→Sm3+的电荷迁移带和Sm3+ 4f内层电子的特征激发峰组成,位于230 nm、404 nm的激发峰较强.发射光谱的峰值位于565、601、650 nm处,分别对应于Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2、4G5/2→6H9/2特征跃迁.样品的发光强度随着Sm3+浓度的增加先增大后减小,最佳掺杂浓度为3.0％ mol.根据实验数据对浓度淬灭的原因进行了探讨,浓度淬灭机理为电偶极-电偶极相互作用.
关键词:
发光材料
,
Sr3Ga2O5Cl2∶Sm3+
,
荧光粉
,
浓度淬灭
毛启楠
,
李鹤
,
季振国
,
席俊华
,
张峻
,
孔哲
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150624
采用高温固相法制备得到Sr2MgSi2O7∶ Eu2+和Sr2MgSi2O7∶ Eu2+,Dy3+发光粉,并详细研究了Eu2+和Dy3+的掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响.所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于Eu2+离子的4f65d→4f7电子能级跃迁.当Eu2+掺杂浓度超过淬灭浓度,其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短.同时,发射峰的峰位随Eu2+浓度的增加而发生红移,这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的,而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱.Dy3+离子会抑制荧光,但有助于延长余辉时间.当其掺杂浓度超过10mol％时,Eu2+\Dy3+离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭,从而使材料的长余辉寿命减少.
关键词:
硅酸镁锶
,
发光性能
,
掺杂
,
浓度淬灭
