李海红
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李红艳
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夏禹周
材料科学与工程学报
采用涂覆分解法制备活性炭电极,研究不同制备条件下制得的电极的电化学性能.利 用扫描电子显微镜(SEM)、低温液氮吸附及傅立叶红外光谱(FTIR)对电极的结构和表面性质进行分析,利用电化学工作站对电极进行循环伏安电化学性能测试.结果表明,以高比表面积活性炭为吸附材料,导电炭黑为导电剂,聚偏氟乙烯(PVDF,142℃干燥)为粘结剂,且三者质量比为8∶1∶1时,所制备的活性炭涂层电极的比电容值最大,可达80F/g,远高于其他制备比例下电极的比电容.电极显示出良好的电化学稳定性,较高的双电子层容量,以及较强的吸附性能.
关键词:
涂覆法
,
电化学性能
,
比电容
,
双电子层
李斌
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李英莲
,
莫淑一
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陈明光
,
王东生
,
龙飞
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160179
分别采用超声微波溶剂热法、常压溶剂热法及高压溶剂热法制备In2Se3/CuSe粉体,研究不同方法制备In2Se3/CuSe粉体的物相、形貌,并利用涂覆-快速热处理法制作薄膜太阳电池吸收层.通过XRD、Raman、FESEM和TEM对样品的物相、形貌和组成进行了表征.结果表明:超声微波溶剂热法和常压溶剂热法得到的产物是以In2Se3+CuSe混合相的形式存在,高压溶剂热法合成的In2Se3/CuSe粉体则呈核壳结构,(以In2Se3为核,CuSe为壳).涂覆-快速热处理法制备CIS薄膜的FESEM照片结果表明,高压溶剂热法合成的In2Se3/CuSe更容易获得平整致密的薄膜.将该CIS薄膜直接用于电池器件的组装,获得的光电性能参数:Voc为50 mV,Jsc为8 mA/cm2.
关键词:
CIS
,
溶剂热法
,
In2Se3/CuSe
,
核壳结构
,
涂覆法
邓伟
,
李明伟
,
王鹏飞
,
胡志涛
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.24.021
提出一种实验研究薄表面层形成和生长的涂覆法。利用该方法，以 KH2 PO4(KDP)晶体Z切片为载体，探究晶体的某些部位，比如(001)面、棱边、柱面在薄表面层形成以及生长过程中所起的作用。结果表明，当Z切片的(001)面上的棱边被覆盖，会首先以小晶锥的形式在(001)面形成新棱边，然后自新棱边沿(101)面切线方向出现薄表面层生长；当整个(001)面被覆盖，柱面生长一定时间并形成新棱边，之后也会出现薄表面层生长；当(001)面被涂覆分割，各分割部分能在各自的新棱边形成后以薄表面层方式形成独立的锥体，而在锥体间的棱边恢复后，独立锥体相应锥面能实现连接。可见，棱边是薄表面层形成的先决条件。对各种涂覆处理的Z切片通过光学显微镜实时观测，发现棱边在薄表面层形成中起关键作用，而柱面能提供台阶，在薄表面层生长中起重要作用；同时，得到了不同涂覆处理方式下薄表面层切向生长速度和动力学系数。
关键词:
KH2 PO4 晶体Z切片
,
涂覆法
,
薄表面层
,
新棱边
,
切向生长速度
,
动力学系数
