王学锋
,
高宇
,
戴小林
,
吴志强
,
张国虎
,
周旗钢
人工晶体学报
数值模拟技术已经成为分析和优化工业化晶体生长工艺必不可少的工具.本文利用有限元分析软件计算了φ300 mm直拉硅单晶生长过程中,不同液面位置时的晶体固液界面形状,模拟计算考虑了热传导、辐射、气流等物理现象,分析了晶体长度和液面位置对晶体生长界面形状的影响,得出了随着晶体长度的增加固液界面的凸度会增大的规律.
关键词:
直拉硅单晶
,
固液界面
,
液面位置
,
数值模拟
朱亮
,
周旗钢
,
戴小林
,
张果虎
,
曹建伟
,
邱敏秀
人工晶体学报
集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置.传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展.本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要.
关键词:
直拉法
,
硅单晶
,
液面位置
