李永平
,
田强
,
牛智川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.018
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳.
关键词:
光电子学
,
深能级瞬态谱
,
深能级缺陷
,
Si夹层
,
GaAs/AlAs异质结
蔡加法
,
陈厦平
,
吴少雄
,
吴正云
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018
分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.
关键词:
光电子学
,
4H-SiC
,
p-i-n紫外光电探测器
,
电容-电压
,
深能级缺陷
