耿淑华
,
许源荣
,
黄红艳
,
成旦红
,
曹铁华
,
吕经康
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2013.01.001
在钕铁硼稀土永磁体基体上电沉积Fe-Ni-Co合金镀层对磁温度补偿.通过对镀层中铁的影响因素研究,确定了电沉积Fe-Ni-Co合金镀层最佳工艺.同时对电沉积Fe-Ni-Co合金镀层后的稀土永磁体进行了磁性能研究.发现Fe-Ni-Co合金镀层对稀土永磁体起到一定的温度补偿作用,在温度升高的情况下,稀土永磁体的温度稳定性有了一定的提高.
关键词:
钕铁硼稀土永磁体
,
温度补偿
,
Fe-Ni-Co合金
,
电沉积
高嵩
,
董婧
,
何宁
功能材料与器件学报
本文从提高光伏系统整体性能、延长铅酸蓄电池使用寿命及减轻传统光伏系统逆变一体机重量出发,对光伏系统充电与逆变控制进行了研究.充电控制器采用直接电流控制(MPPT)算法和过充电压温度补偿相结合的三阶段充电控制策略;逆变器采用改进型交错并联反激变换器拓扑实现交流电压220V输出,在充分利用太阳能阵列输出功率的基础上,缩短铅酸蓄电池充电时间,同时逆变产生交流电供给负载,去除了工频变压器,有效减少了逆变器体积,减少系统成本.
关键词:
光伏系统
,
逆变器
,
MPPT
,
直接电流控制算法
,
温度补偿
耿淑华
,
黄红艳
,
许源荣
,
曹铁华
,
成旦红
,
吕经康
电镀与涂饰
针对稀土永磁体温度稳定性较差,利用双向脉冲电沉积法在钕铁硼永磁体上电沉积Fe-Ni-Co合金.镀液组成和操作条件为:FeSO4·7H2O 40 g/L,CoSO4·7H2O 1 g/L,NiSO4·7H2O120 g/L,NiCl2·6H2O 25 g/L,H3BO3 40 g/L,乳酸20 mL/L,抗坏血酸20 g/L,糖精2 g/L,柠檬酸钠80 g/L,十二烷基硫酸钠0.01 g/L,乙二醇20 mL/L,pH=3,温度60～65℃.通过扫描电镜和X射线衍射考察了合金镀层形貌及结构,采用划痕法和中性盐雾试验分别测试了合金镀层的结合力和耐蚀性.实验结果表明,制得的合金镀层表面较均匀致密,结合力好,耐蚀性强.磁性能测试表明该合金镀层有一定的温度补偿作用.
关键词:
钕铁硼永磁体
,
铁镍钴合金
,
脉冲电沉积
,
温度补偿
付永领
,
张凯
,
祁晓野
人工晶体学报
为解决硅单晶提拉生长过程中拉速不稳定、波动较大的问题,在分析晶体生长界面热量及质量传输的基础上,通过控制温度补偿速率来抑制拉速大幅波动.采取基于遗传算法优化隶属度函数的模糊控制策略,对温度补偿速率进行控制,调节加热功率,使炉内热环境处于适宜晶体生长的范围.实验结果表明,在提高系统控径精度的同时,拉速稳定性也有显著提高,大幅波动明显减少.
关键词:
温度补偿
,
拉速稳定性
,
模糊控制
,
遗传算法
,
提拉法
李珂
,
冯飞
,
熊斌
,
王跃林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.008
本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响.理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此外,ANSYS模拟仿真的结果验证了该设计能抑制周围环境温度波动对器件红外目标探测的影响.
关键词:
光读出红外成像阵列器件
,
热-机械灵敏度
,
噪声等效温差
,
温度补偿
柏任流
,
董泽华
,
郭兴蓬
,
杨全安
,
李琼玮
,
李明星
腐蚀学报（英文）
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2007.05.008
基于温度补偿的原理,对引起电阻探针腐蚀监测数据波动的关键因素进行了大量研究和分析,发现异种金属间的接触电势和温差电势差,是造成测量数据温度漂移的主要原因.文中通过特殊的电路设计,采用交变激励源对温漂效应进行补偿,极大降低了电阻探针内部接触电势产生的温差效应,使腐蚀速率的测量精度显著提高.现场和实验室测量表明:其电阻分辨率可达到0.5μΩ,腐蚀速率灵敏度达到了0.1μm/a.
关键词:
电阻探针
,
接触电势
,
温差电势
,
温度补偿
,
交变激励电路
黄先
,
邓龙利
,
蒋大鹏
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.023
介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的用于白光LED驱动电路的温度补偿技术,详细分析了该带隙基准电路的工作原理,并采用HSPICE软件对运算放大器和带隙基准源进行仿真.该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,具有电路结构简单、温度特性好和电源抑制比高的特点.文章以理论公式的形式对整个模块的工作原理进行了分析,包括输出电压和输出电流,分析了失调电压对该电路的影响.从理论分析结果可以看出,该电路可以通过适当调节电阻之间的比例而得到温度特性好的输出电压和电流,以及输出可调的输出电压,还可以抑制失调噪声的影响.仿真结果表明,该电路的温度系数为2.8×10-5/K,电源抑制比在70 dB以上,运放的低频电压增益约为78 dB,电路功耗仅为0.05 mW.所有的参数结果均满足了设计的要求.该带隙基准电路还可应用于其他电源芯片中.
关键词:
温度补偿
,
带隙基准
,
温度系数
,
电源抑制比
