崔学军
,
刘春海
,
李明田
,
林修洲
,
刘元洪
中国腐蚀与防护学报
以磷酸二氢锰和无氟添加剂为主要成分，通过化学沉积的方法在AZ31镁合金表面获得了均匀且无氟、无镍和无铬的磷化膜。采用硫酸铜点蚀测试、扫描电镜及电化学极化曲线表征手段，详细地研究了成膜温度、游离酸及酸比工艺对AZ31镁合金磷化膜耐蚀性能及表面形貌的影响。结果表明：在成膜温度95℃，游离酸FA4-5，酸比TA／FA15-20的条件下，可获得晶粒〈20μm的致密磷化膜，耐CuS04点蚀时间〉5min。磷化AZ31镁合金的自腐蚀电位比未处理基体正移110mV，自腐蚀电流密度降低3个数量级。成膜温度〈75℃时，不能得到完整的磷化膜；成膜温度≥75℃时，随着成膜温度的升高，磷化膜颗粒得到细化，膜层更加致密，进而有效地抑制AZ31镁合金的阳极溶解和阴极析氢，提高了耐蚀性能。但升高成膜温度，加速磷酸盐的水解，容易产生大量的磷化渣，而游离酸的控制，能够有效减少磷化渣的产生，降低生产成本，提高膜层质量。
关键词:
镁合金
,
磷酸盐转化膜
,
无铬
,
成膜温度
,
游离酸
崔学军
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刘春海
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李明田
,
林修洲
,
刘元洪
中国腐蚀与防护学报
以磷酸二氢锰和无氟添加剂为主要成分，通过化学沉积的方法在AZ31镁合金表面获得了均匀且无氟、无镍和无铬的磷化膜。采用硫酸铜点蚀测试、扫描电镜及电化学极化曲线表征手段，详细地研究了成膜温度、游离酸及酸比工艺对AZ31镁合金磷化膜耐蚀性能及表面形貌的影响。结果表明：在成膜温度95℃，游离酸FA4-5，酸比TA／FA15-20的条件下，可获得晶粒〈20μm的致密磷化膜，耐CuS04点蚀时间〉5min。磷化AZ31镁合金的自腐蚀电位比未处理基体正移110mV，自腐蚀电流密度降低3个数量级。成膜温度〈75℃时，不能得到完整的磷化膜；成膜温度≥75℃时，随着成膜温度的升高，磷化膜颗粒得到细化，膜层更加致密，进而有效地抑制AZ31镁合金的阳极溶解和阴极析氢，提高了耐蚀性能。但升高成膜温度，加速磷酸盐的水解，容易产生大量的磷化渣，而游离酸的控制，能够有效减少磷化渣的产生，降低生产成本，提高膜层质量。
关键词:
镁合金
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磷酸盐转化膜
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无铬
,
成膜温度
,
游离酸
