郑洋
,
刘晰
,
曲炳郡
,
韦丹
,
魏福林
,
任天令
,
刘理天
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.016
磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域.本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题.研究中采用了1:5的BHF溶液的湿法刻蚀工艺,刻蚀速率为25 A/s,实现了刻蚀深度的精确控制,解决了薄膜对准的问题.同时改进了CoCrPt薄膜溅射的种子层,使得CoCrPt能在常温下溅射得到很好的晶体结构.这种工艺为基于GMR的小尺寸器件设计提供了可能性.
关键词:
巨磁电阻
,
磁控溅射
,
湿法刻蚀
,
粗糙度
,
种子层
许晓昕
,
高翔
,
徐静
,
吴亚明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.011
高表面质量的pyrex玻璃对提高MEMS器件尤其是光学器件性能至关重要.本文采用TiW/Au+AZ4620厚胶作为多层复合刻蚀掩模,重点研究了玻璃湿法深刻蚀工艺中提高表面质量的方法,并分析了钻蚀和表面粗糙度产生的机理.结果表明,采用TiW/Au+AZ4620厚胶的多层掩膜比 TiW/Au掩膜能更有效地避免被保护玻璃表面产生针孔缺陷,减轻钻蚀.在纯HF中添加HCl,可以得到更光洁的刻蚀表面,当HF与HCl体积配比为10:1时,玻璃刻蚀面粗糙度由14.1nm减小为2.3nm.利用该工艺,成功实现了pyrex7740玻璃的150μm深刻蚀,保护区域的光学表面未出现钻蚀针孔等缺陷,同时完成了金属引线和对准标记的制作,为基于玻璃材料的MEMS器件制作提供了一种新的加工方法.
关键词:
微机电系统(MEMS)
,
Pyrex玻璃
,
湿法刻蚀
,
表面质量
丁彬
,
程现铁
,
徐国庆
,
张宏
人工晶体学报
提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面.通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势.同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值.尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9％.
关键词:
多晶硅太阳能电池
,
表面制绒
,
湿法刻蚀
,
光刻法
,
负性光刻胶
陈新亮
,
薛俊明
,
张德坤
,
蔡宁
,
张晓丹
,
赵颖
,
耿新华
人工晶体学报
本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术.研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大.适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池.
关键词:
MOCVD
,
绒面ZnO薄膜
,
湿法刻蚀
,
太阳电池
倪烨
,
戴强
,
张怀武
,
钟智勇
,
于奇
材料导报
针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺.对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件.应用该技术成功地刻蚀出深度高达330μm的深槽,为MEMS元器件的加工提供了一种参考方法.
关键词:
湿法刻蚀
,
MEMS
,
深槽刻蚀
,
掩膜
张永爱
,
许华安
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.012
在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极.讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少.此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐.
关键词:
FED
,
大屏幕
,
精细电极
,
湿法刻蚀
张静
,
张方辉
,
张琳
,
沈亚峰
,
龚政
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0628
实验采用玻璃湿法腐蚀凹槽制备了用于有机电致发光器件封装的玻璃后盖,并分析了氢氟酸浓度、温度、超声和反应物对玻璃刻蚀厚度和玻璃表面平整度的影响,得到了一种简单制备玻璃盖的工艺方法:在氢氟酸浓度为40％,在超声波清洗器中进行玻璃的腐蚀,腐蚀时间为15 min,在腐蚀过程中间隔一定时间冲洗反应物后可以得到厚度为0.177 mm,表面平整的玻璃封装盖,符合有机电致发光器件的封装要求.使用此方法制备的封装盖在氮气环境下将有机电致发光器件进行封装,可以减缓器件亮度的衰减.
关键词:
有机电致发光器件
,
湿法刻蚀
,
表面平整度
,
超声
范学丽
,
靖瑞宽
,
翁超
,
陈启省
,
王晏酩
,
肖红玺
,
刘还平
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0067
随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究.首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响.其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善.通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5.通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著.
关键词:
TFT-LCD
,
湿法刻蚀
,
FI CD
,
均一性
陈丽雯
,
叶芸
,
郭太良
,
彭涛
,
周秀峰
,
文亮
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0363
为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势,降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失,提高产品品质,本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化.实验以干法刻蚀为主刻蚀,湿法刻蚀为辅刻蚀的方式,既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力,又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性,改善了层间绝缘层刻蚀形貌,减少干法刻蚀对器件有源层的损伤,避免有源层被氧化,防止刻蚀副产物污染开孔表面.实验结果表明,干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题,使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73％以上,且TFT源漏电极接触电阻减小约90％,器件开态电流提升约15％.干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺,提升产品性能的新方法.
关键词:
LTPS TFT LCD
,
干法刻蚀
,
湿法刻蚀
,
层间绝缘层过孔
,
接触电阻
,
器件性能
杨玲
,
许积文
,
王华
,
江民红
,
袁昌来
材料导报
室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3％(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜.研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响.结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响；经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7mnΩ· cm、8.8mQ·cm和8.6mΩ·cm；透光率略有下降,从80％分别下降到76％、77％和78％.0.5％的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构.薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶；在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留；在王水中刻蚀图案清晰且无残留.
关键词:
ZAO薄膜
,
透明导电
,
湿法刻蚀
