宋文斌
,
许高博
,
曾传滨
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.012
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOIMOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响.结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善.
关键词:
绝缘体上硅SOI
,
ESD
,
源漏硅化物
,
二次击穿
,
导通电阻
,
栅接地NMOS器件
