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激光加热退火处理对NiMn基磁性薄膜交换偏置场的影响

潘旋 , 周广宏 , 蒋素琴 , 朱雨富

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.024

通过激光加热对 Ni81 Fe19(15 nm )/Ni45 Mn55(x nm)磁性双层膜进行快速退火处理,系统研究了激光辐照参数对交换偏置场(H ex )大小的影响。结果表明,激光的能量密度强烈影响双层膜交换偏置效应,并存在一个能量密度的阈值(约为150 mJ/cm2),此时磁性双层膜能够产生较明显的交换偏置现象。磁性双层膜的H ex 随着能量密度的进一步增加逐渐变大,但随后减小直至完全消失。当 NiMn 层厚度为25 nm时,经激光加热退火处理后双层膜的H ex 最大值约为26.2 kA/m,略大于常规退火后的 H ex 值(22.3 kA/m)。

关键词: NiMn , 磁性薄膜 , 交换偏置场 , 激光加热退火

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