张祖伟
,
胡陈果
,
奚伊
材料导报
ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料,在具有了纳米带状结构之后,展现出了更多的奇特性质.主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二极管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究.
关键词:
ZnO
,
纳米带
,
二极管
,
激光器
,
微悬臂
,
声学谐振器
乔红超
,
赵吉宾
,
陆莹
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.01.001
激光等离子体冲击波应用技术以其节能、高效、可控性强等优点,受到了众多研究者的广泛关注. 综述了激光等离子体冲击波作用效应,分析了靶表面等离子体和激光维持的爆轰波对靶冲量传递的影响,重点介绍了利用激光等离子体冲击波效应的两项技术——激光冲击强化技术和激光推进技术. 通过对比国内外技术的优势,系统考察了...
关键词:
激光冲击强化
,
激光推进
,
等离子体
,
冲击波
,
激光器
刘盛
,
张永刚
材料导报
锑化物激光器在2~5μm波段具有广阔的应用前景.综述了锑化物激光器的研究进展,重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术以及新的器件结构,讨论了其中存在的主要技术问题,并指出了锑化物激光器不断向长波长方向扩展的趋势.
关键词:
分子束外延
,
锑化物
,
激光器
郑燕兰
,
李爱珍
,
林春
,
李存才
,
胡建
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量...
关键词:
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱
,
PL强度
,
激光器
徐遵图
,
张敬明
,
马骁宇
,
刘素平
,
刘忠顺
,
方高瞻
,
肖建伟
,
陈良惠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.041
报道了915~980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2~2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW.
关键词:
980nm
,
应变量子阱
,
激光器
李忠辉
,
王向武
,
张宝顺
,
杨进华
,
张兴德
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330~490A/cm2,外微分量子效率为55%~78%,中心发射波长为(808±3)...
关键词:
分别限制结构
,
单量子阱
,
激光器